SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片,工作电压3.3V电压,速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制,使RAM与CPU外频同步,取消等待时间所以其传输速率比EDO DRAM更快。
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积
不一样,内部基础触发器模式就不一样。
sdram需要持续刷新,sram不需要持续刷新。
SRAM是静态存储,写一次就能锁住,不需要实时刷新,一般容量比较小,
SDRAM的动态存储, 需要实时刷新数据,一般容量比较大
SDRAM是动态随机存储,需要刷新数据,容量通常做的都比较大,
SRAM是静态随机存储器,不需要刷新,数据掉电不丢失,类似于内存上的应用。
SRAM:静态RAM,用电平保存数据,电平高低代表二进制01,数据自锁。
SDRAM:动态RAM,用类似电容的介质保存数据,有电荷或无电荷判定二进制01。但介质存在电荷泄露,要有DRAM控制器不断刷新数据。
SDRAM是动态随机存取存储器;SRAM是静态随机存储器。
SDRAM必须刷新才能保持数据;SRAM使用起来简单些,不用刷新。