如图下，输入Vin经过肖特基二极管VT1后，后续电路起到过压保护的作用（过压断开PMOS管）
稳压管VT2的稳压值为25V，讨论如果在输入为过压（48V输入）的保护情况
现有问题分析如下
【1】首先如果电路的过压保护启动了，为什么此时PNP（图中V1）一定是饱和导通？个人理解是，饱和导通时，A点与B点的电压差仅仅为0.7V，这样才使得PMOS关断，而在非饱和导通时，PNP的EC极之间的电阻没有足够小，以致A和B点之间的压差大于PMOS的GS之间的导通电压Vth值（2V），使得PMOS继续导通。
【2】PNP未饱和导通时，Vin经过VT1在A点，（此处先暂时不考虑R3），通路是：从A→V1（eb极）→R2→VT2→GND，此时PNP基极电流为（Vin-0.7-VT1）/R2，而在PNP饱和导通时，通路变为：A→V1→R4→GND，此时R4流经的电流即为PNP的集电极电流为（Vin-0.7）/R4。假设PNP的放大倍数为h，如果PNP是饱和导通，那么基极电流乘以h，是要大于还是要小于集电极电流呢？
【3】因为PMOS的VGS有幅值限制（10V），所以加上稳压二极管VT3来稳压，这样直接接在PMOS的GS极，需不需要加上限流电阻（类似R1与VT2的关系）？是不是R4就是VT3的限流电阻？另外当输入为48V时
，因为VT3稳压为10V，所以B点的电压为38V，这样PMOS的栅极可以承受吗？手册只说Vgs的电压不大于10V，但是未说各个极的电压最大值。
【4】R3的作用是增加稳压和保护的可靠性，这个R3如何选值呢？
