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是不是mos管的PD参数是指热耗散功率，和过的电流没关系？

cs538138 2017-08-31 浏览量：4834
如题，是不是mos管的PD参数是指热耗散功率，和过的电流没关系？
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  • 一般对MOS管来讲，导通后的电阻很小，此时电流对热量的影响和小，但是在开关阶段，开关的稳定时间内，等效电阻是变化的，而此时电流又流过，所以热量在此时产生，换句话说，MOS管开关切换时加载电流，就会产生热量。所以热耗散功率是和电流有关系的。
    • 发布于2017-08-31
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  • 热耗散功率是以热的形式耗散掉的功率，当然跟流过的电流有关系
    • 发布于2017-08-31
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  • 有關係喔,這是指MOSFET本身自己器件上的消耗功率,不是輸出

    但只要導通狀態,通道就有一部分功率消散,所以是看電流影響的(跟I-V圖溫度有關)

    以上

    • 发布于2017-09-02
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  • 那个热耗散功率跟通过电流，自身电阻都有关
    • 发布于2018-01-24
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电子老工程师 回复了  ：SC1894A-00B13 Maxim Integrated 回复

  • 热耗散功率肯定跟通过的电流有关啊，电流越大散失浪费的热量就越多，而 MOSFET自身的电阻又会影响通过的电流大小。

    • 发布于2018-01-25
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电子老工程师 回复了  ：https://www.panasonic-electric-works.com/pew/eu/downloads/sf_relay1060_en.pdf 回复

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