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GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
2016-08-25 17:22:20
GD32F170/190系列产品采用全新工艺制程设计，能在2.5V-5.5V的宽电压应用环境中工作，并可以方便地连接到5V系统而无需额外的电压转换器，I/O口可承受5V电平。支持高级电源管理并具备三种省电模式。在外部电池供电情况下，内置的高精度可校准实时时钟(RTC)运行时的待机电流低于1uA。GD32F170和GD32F190系列产品内核最高时钟频...
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晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：8pF,尺寸：2.0*1.6*0.5mm,封装：2016。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：10pF,尺寸：2.0*1.6*0.5mm,封装：2016。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：10pF,尺寸：2.5*2.0*0.55mm,封装：2520。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：12pF,尺寸：2.5*2.0*0.55mm,封装：2520。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：10pF,尺寸：3.2*2.5*0.8mm,封装：3225。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：10ppm,负载电容：12pF,尺寸：3.2*2.5*0.8mm,封装：3225。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：18.432000MHZ,频率容差：20ppm,负载电容：20pF,尺寸：11.35*4.65*3.6mm,封装：49S。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：20ppm,负载电容：20pF,尺寸：11.35*4.65*3.6mm,封装：49S。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：18.432000MHZ,频率容差：20ppm,负载电容：20pF,尺寸：11.5*4.8*4.0mm,封装：49SMD。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：32.000000MHZ,频率容差：20ppm,负载电容：20pF,尺寸：11.5*4.8*4.0mm,封装：49SMD。
2019-04-04 17:19:09
晶振频率：18.432000MHZ,频率容差：20ppm,负载电容：20pF,尺寸：2.0*6.0mm。
2019-04-04 17:19:09
