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开关电源的开关器件损耗 MOSFET 传导损耗怎么计算

渐臻佳境 2020-04-25 浏览量：707

开关电源的开关器件损耗 MOSFET 传导损耗怎么计算

电源技术

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Alexis
MOSFET 和二极管是开关元件，导通时电流流过回路。器件导通时，传导损耗分别由MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。
MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS(ON)、占空比(D)和导通时MOSFET 的平均电流(IMOSFET(AVG))的乘积。
PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D
- 发布于 2020-04-25
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Alexis
MOSFET 和二极管是开关元件，导通时电流流过回路。器件导通时，传导损耗分别由MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。
MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS(ON)、占空比(D)和导通时MOSFET 的平均电流(IMOSFET())的乘积。
- 发布于 2020-04-25
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