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求教：MOS管通断的一些问题

shaorc 2016-11-02 浏览量：1086

如题，本人最近和自举电路，MOS管驱动接触较多，所以提问较多，希望大家耐心，详细解答，谢谢！
//www.icxbk.com/community/forum.php?mod=viewthread&tid=69476&extra=
1.之前发过图片，见上面的链接，用自举电容给上管MOS驱动供电时，电容电压加载上管的G和S间，且下管截止上管导通，所以S极电压为D计所接的电源（+40V），那么用+40V的电源目的仅仅在于提高上管的地电位吗？加在GS两端的电压就是Vcc吗？
2.采用的MOS管是IXTT36N50P，在看其datasheet时，一开始就写有，Vdss=500V，Id25=36A，Rds<=170毫欧，后面还有写到Rgs=1兆欧，有以下疑问
(a)那么是不是代表DS极间最大加载电压是500V，集电极的最大电流是36A？
(b)看到好多参数的下标结尾都有S字母或者M字母，比如Vdss，Vgsm，Idm，代表什么？尾标S是代表静态吗？M代表最大？
(c)如何理解静态电流，静态电压?
(d)集电极电流Id就是在MOS管导通时流过MOS管的电流吗？如果是的话，那么导通时流过栅极和发射极的电流也是Id一样大啊，怎么很少见说Is或者Ig？
(e)栅极和发射极之间的电阻有1兆欧，如此大，MOS管可以导通吗？

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MOP
本帖最后由 MOP 于 2016-11-3 13:41 编辑

1. 參考以下電路,應該跟您的設計非常類似

其中VB和VS之間的電容是自舉(升壓)電容C1,因為高電位Channel所接的Power MOSFET(Q1)的Vd接高電壓源,因此導通時Vd和Vs電壓相同(假設Rds很小),這樣造成一變動電壓源就要跟著去調整Power MOSFET(Q1)的Vgs,否則會導致Vgs不夠大而使Power MOSFET(Q1)截止,所以產生了自舉電容的解法,當低電位Channel所接的Power MOSFET(Q2)導通時,自舉電容兩端就等於(Vcc-Vd),對電容充電,因此電容會充電到(Vcc-Vd)電壓,當關閉低電位Channel的Power MOSFET時,自舉電容C1就有足夠的電壓差(Vcc-Vd) = Vgs加在Power MOSFET(Q1),使得Power MOSFET (Q1)可持續保持導通,因此是需要高電壓源才需要自舉電容的

2. 我看了一下Datasheet,對照一些其他Datasheet的下標解釋
(a) Vdss代表飽和區的最大電壓,再大會崩潰,Id25代表25度室溫下的最大電流,因溫度是影響Id因素之一,另外MOSFET是漏極唷,集極是BJT

(b) 同(a),Vdss代表 Drain-Source voltage in Saturation region, 而Vgsm,Idm是導通時的最顛峰電流(Maximum Peak On-state Drain Current)

(c) 靜態電流和靜態電壓是一體兩面的,當您將電路接上電源但不啟動時,仍有一小部分電流在流動,也稱作待機電流,例如手機待機時,電源控管IC是ON的,但其他元件(屏幕,CPU,Wifi,...)是OFF,所以電源控管IC所消耗的電流就是靜態電流,兩端的電壓差就是靜態電壓了,當靜態電流越小時,待機時間越長,越省電也符合環保

(d) 一般來說MOSFET是有Ig,Is,Id的,但Rgs和Rgd阻抗非常高,所以Ig電流是0,這點不像BJT還有Ib電流存在,又因為Ig=0,所以Id=Is=Ids,所以多半都稱Id-Vds曲線,另外MOSFET沒有射極的,那是BJT唷

(e) 同(d),Rgs本來就是需要非常高的阻抗,所以1M非常正常,導通是看Rds唷,Datsheet寫小於170m歐姆,足夠小了

以上希望有幫助到您:)
- 发布于 2016-11-02
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