Alexis
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MOSFET 和二极管是开关元件,导通时电流流过回路。器件导通时,传导损耗分别由MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS(ON)、占空比(D)和导通时MOSFET 的平均电流(IMOSFET())的乘积。
MOSFET 和二极管是开关元件,导通时电流流过回路。器件导通时,传导损耗分别由MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS(ON)、占空比(D)和导通时MOSFET 的平均电流(IMOSFET(AVG))的乘积。PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D
L298N 是一种双知H桥电机驱动芯片,其中每个H桥可以提供2A的电流,功率部分的供电电压范围是2.5-48v,逻道辑部分5v供电,接受5vTTL电平。一般情况下,功率版部分的电压应大于权6V否则芯片可能不能正常工作。
因为很多处理器没有硬件除法单元。就算有硬件除法单元,也比普通运算慢。因为在硬件上除法使用的是类似CORDIC的方法(与开方、三角函数的CORDIC算法很相似,所以一般都一起共用一个单元,称为SFU),为了达到精度一般要迭代几十次的,花费数十个周期很正常。