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DC-DC升压，模式PFM，输入电压 0.7-4.5V，输出电压1.8~5.0V，电流消耗4uA，输出电流200mA，频率110K，效率88%，精度±2.5%，封装型号SOT_89-3/5,SOT23-3/5
2015-07-22 15:55:09
DC-DC升压，模式PFM，输入电压 0.7-4.5V，输出电压1.8~5.0V，电流消耗4uA，输出电流500mA，频率350K，效率85%，精度±2.5%，封装型号SOT_89-3/5,SOT23-3/5
2015-07-22 15:55:09
ZS1203系列是以CMOS工艺制造的高精度，300mA超低噪音，超快响应低压差线性稳压器。这系列的稳压器内置固定的参考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET，达到高纹波抑制，低输出噪音，超快响应低压差的性能。封装形式:SOT-23-3,SOT-89-3,SOT-23-5,SOT-89-5
2015-08-20 15:11:03
ZS1205系列是以CMOS工艺制造的高精度，高纹波抑制比，低噪音，超快响应低压差线性稳压器。ZS1205系列稳压器内置固定的参考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET达到高纹波抑制，低输出噪音,超快响应低压差的性能。封装形式:SOT-23-3,SOT-89-3,SOT-23-5,DNF-6(2*2)
2015-08-20 15:11:03
ZS1206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.)，它们能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA的输出电流，并且仍能保持良好的调整率。封装形式:SOT-23-3L,SOT-89-3,SOT-23-3,TO-92
2015-08-20 15:11:03
Series：LF，Rated Voltage（V）：450，Capacitance(uF)：560，Size（mm）：35x50，Capacitance Tolerance：±20%，Operating Temperature Range：-25~+85℃
2015-09-17 10:40:39
Series：HF，Rated Voltage（V）：450，Capacitance(uF)：560，Size（mm）：35x60，Capacitance Tolerance：±20%，Operating Temperature Range：-25~+105℃
2015-09-17 10:40:39
沟道：P沟道,VDS(MAX):-30V,VGS:-12V,VTH:-1.0V,ID:-5.2A,IDH:-30A，RDS(on）：50mΩ，封装：SOT-89-3L,替代：XP202A/XP162A/DTS2059
2015-09-22 11:33:09
沟道：N沟道,VDS(MAX):30V,VGS:12V,VTH:0.9V,ID:6.8A,IDH:30A，RDS(on）：25mΩ，封装：SOT-89,替代：XP161A/DTS3058/DTS2058
2015-09-22 11:33:09
沟道：N沟道,VDS(MAX):60V,VGS:20V,VTH:1.4V,ID:4A,IDH:12A，RDS(on）：105mΩ，封装：SOT-89,替代：
2015-09-22 11:33:10
沟道：N沟道,VDS(MAX):100V,VGS:20V,VTH:1.8V,ID:3A,IDH:8A，RDS(on）：210mΩ，封装：SOT-89,替代：
2015-09-22 11:33:10
沟道：P沟道,VDS(MAX):-30V,VGS:-20V,VTH:-3.0V,ID:-25A,IDH:-75A，RDS(on）：15mΩ，封装：TO-252,替代：AOD4185/AOD4189/AOD413A
2015-09-22 11:33:10
沟道：P沟道,VDS(MAX):-30V,VGS:-20V,VTH:-3.0V,ID:-50A,IDH:-150A，RDS(on）：7.5mΩ，封装：TO-252,替代：AOD4185/AOD4189/AOD413A
2015-09-22 11:33:10
沟道：P沟道,VDS(MAX):-30V,VGS:-25V,VTH:-1.5V,ID:-85A,IDH:-250A，RDS(on）：6.0mΩ，封装：TO-220,替代：AOD4185/AOD4189/AOD413A
2015-09-22 11:33:10
沟道：P沟道,VDS(MAX):-40V,VGS:-20V,VTH:-3.0V,ID:-40A,IDH:-50A，RDS(on）：10mΩ，封装：TO-252,替代：AOD4185/AOD4189/AOD413A
2015-09-22 11:33:10
沟道：P沟道,VDS(MAX):-60V,VGS:-20V,VTH:-2.5V,ID:-50A,IDH:-150A，RDS(on）：23mΩ，封装：TO-220,替代：Me50P06/SUP50P06/SUD50P06
2015-09-22 11:33:10
最大输出电流：150mA，输入电压：18V，输出电压：2.8/3.0/3.3/，精度：±3%，功耗：2uA,波纹（1KHZ):50dB，负载稳定率：60mV，线性稳定率：0.002，封装：SOT-89/SOT-23，替代：HT75XX/HT71XX
2015-09-22 11:33:48
最大输出电流：150mA，输入电压：24V，输出电压：3.0/3.3/3.6/4.0/5.0V，精度：±2%，功耗：2uA,波纹（3KHZ):50dB，负载稳定率：60mV，线性稳定率：0.002，封装：SOT-89，替代：HT75XX/HT71XX
2015-09-22 11:33:48
最大输出电流：100mA，输入电压：40V，输出电压：3.3/5.0V，精度：±3%，功耗：2.5uA,波纹（5KHZ):，负载稳定率：60mV，线性稳定率：0.002，封装：SOT-89/TO-92，替代：HT75XX/HT71XX
2015-09-22 11:33:48
最大输出电流：300mA，输入电压：18V，输出电压：1.5/1.8/2.5/2.7/2.8/3.0，精度：±3%，功耗：2uA,波纹（7KHZ):50dB，负载稳定率：45mV，线性稳定率：0.002，封装：SOT-89/SOT-23-3L，替代：HT73XX/HT75XX
2015-09-22 11:33:48
