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NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-128封装
2015-06-24 15:11:12
NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装
2015-06-24 15:11:12
NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装
2015-06-24 15:11:12
NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装
2015-06-24 15:11:12
NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装
2015-06-24 15:11:13
新唐科技NUC500系列主要特色为具有高性能、低成本、低功耗、32位ARM?的ARM7TDMI内核，内建32 KB/64 KB SRAM 可以有80MHz的速度，支持快速打印，并且有支持两组串口和USB连接装置。驱动更特别支持USB printer class方便计算机或是收款机打印
2015-06-24 15:11:16
新唐科技NUC500系列主要特色为具有高性能、低成本、低功耗、32位ARM?的ARM7TDMI内核，内建32 KB/64 KB SRAM 可以有80MHz的速度，支持快速打印，并且有支持两组串口和USB连接装置。驱动更特别支持USB printer class方便计算机或是收款机打印
2015-06-24 15:11:16
OK6410-B型开发板汇聚了当今主流ARM11平台的精髓，融合了1G SLC NAND、超大容量DDR内存和最常用的Linux\WinCE\Android\UcosII操作系统。
2015-07-06 13:56:54
STM32开发板为用户提供了一个经济实惠且灵活的方式以供用户尝试新的想法，并能与任何STM32微控制器搭建技术原型，从性能，功耗和功能的各种组合中做以选择。
2015-07-16 16:55:51
DC-DC升压，模式PFM，输入电压 0.7-4.5V，输出电压1.8~5.0V，电流消耗4uA，输出电流200mA，频率110K，效率88%，精度±2.5%，封装型号SOT_89-3/5,SOT23-3/5
2015-07-22 15:55:09
DC-DC升压，模式PFM，输入电压 0.7-4.5V，输出电压1.8~5.0V，电流消耗4uA，输出电流500mA，频率350K，效率85%，精度±2.5%，封装型号SOT_89-3/5,SOT23-3/5
2015-07-22 15:55:09
MiCOKit开发套件为您提供一个开箱即用的智能硬件解决方案，使您的产品可以快速、安全地连接至云服务平台和手机端。
2015-07-24 17:27:24
电源：220V AC/50Hz，输入：2路0-5A，输出：0-5V输出，用于PAC03I、PAC16P电力调整器输出端的电流反馈，安装方式：DIN 35mm导轨安装。
2015-08-04 09:19:58
ZS1203系列是以CMOS工艺制造的高精度，300mA超低噪音，超快响应低压差线性稳压器。这系列的稳压器内置固定的参考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET，达到高纹波抑制，低输出噪音，超快响应低压差的性能。封装形式:SOT-23-3,SOT-89-3,SOT-23-5,SOT-89-5
2015-08-20 15:11:03
ZS1205系列是以CMOS工艺制造的高精度，高纹波抑制比，低噪音，超快响应低压差线性稳压器。ZS1205系列稳压器内置固定的参考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET达到高纹波抑制，低输出噪音,超快响应低压差的性能。封装形式:SOT-23-3,SOT-89-3,SOT-23-5,DNF-6(2*2)
2015-08-20 15:11:03
ZS1206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.)，它们能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA的输出电流，并且仍能保持良好的调整率。封装形式:SOT-23-3L,SOT-89-3,SOT-23-3,TO-92
2015-08-20 15:11:03
ZS4953场效应管，双 P沟道低压MOSFET，VDSS的电压值为-30V，最大电流-5.2A，VGS的电压值±20V，封装：SOP-8
2015-08-20 15:11:27
ZS9926场效应管，双 N沟道的低压MOSFET，VDSS的电压值为20V，最大电流7.6A，VGS的电压值±12V，1.8V电阻为38mΩ，2.5V电阻为27mΩ，2.5V电阻为27mΩ，封装：SOP-8
2015-08-20 15:11:27
ZS4606场效应管，N P沟道MOSFET，VDSS的电压值为±30V，最大电流-6 / 6.9，VGS的电压值±20V，封装：SOP-8
2015-08-20 15:11:27
ZS6288/A三合一同步升压移动电源专用芯片，DC-DC同步升压输出电压可达到±1%的精度，可以提供高达90%以上的升压转换效率，同时具有精确的升压恒流恒功率功能输入耐电压高达10V和报警功能，电池过充电保护4.2V，充电电流1A、2A(电池端)，充电电流1A、2A(电池端)，升压恒流恒功率输出功能，输出空载检测关断省电功能，ZS6288/...
2015-08-20 15:11:52
