NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-128封装

NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-128封装

NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装

NANO系列提供高性能、低成本、超低功耗32位ARM?Cortex?-M0内核、运行速度高达42 MHz、内置32位硬件乘法器、低工作电压1.8V ? 3.6V、超低功耗工作模式LQFP-64封装

沟道：双P沟道,VDS(MAX):-20V,VGS:-10V,VTH:-0.7V,ID:-5A,IDH:-20A，RDS(on）：60mΩ，封装：SOP8,替代：CEM4953/APM4953/AP4953

输出电压：4.2V，输入电压：4.83-28V，最大充电电流：扩流4A，充电类型：开关式单节锂电充电，充电截止电压：4.2V，精度：±1%，涓流充电截止电压：3.1V，功耗：1mA，封装：SSOP-10，替代：兼容USB接口输入

Audio Amp Speaker 1-CH Mono 68W Class-AB 11-Pin(11+Tab) TO-220 Rail

小功率充电器IC，内置三极管，最大功率：5V800mA；5V1000mA

工作模式：PWM，工作电压范围：2.5V-6.0V，输出电压：最大9V，输出电压形式：可调输出，输出电压精度：±2%，内置MOS最大输出电流：4.5A，效率：0.95，静态电流：0.1uA，工作频率：1MHz，封装：ESOP-8

输入耐压:40V,输出电压：可调输出/，输出电流：2.5A，反馈电压：1.0V，工作频率：250K，效率：0.91，静态工作电流：10mA，待机电流：2mA，封装：ESOP8，替代：

亿光2323冷白贴片高亮 2870-3220K色温 XI2323/KK3C-H3030M3P3b63Z6/2T，尺寸:2.3x1.9x1.03mm，颜色:暖白，色温：2870-3220K，电压：2.6~3.3V

封装：SOT23-6，功能：SSR+外置MOS管，各种保护功能，方案特点：待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性能PWM控制器,欠压保护...

封装：SOT23-6，功能：SSR+外置MOS管，各种保护功能，方案特点：待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性能PWM控制器,欠压保护...

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):3.23,VZ NOM(V):3.3,VZ Max(V):3.37,VZ @IZT(mA):5,ZZT(Ω):95,ZZK(Ω):564,ZZK @IZT(mA):1,IR(μA):4.5,IR@VR(μA):1,Outline:SOD-123

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):4.21,VZ NOM(V):4.3,VZ Max(V):4.39,VZ @IZT(mA):5,ZZT(Ω):90,ZZK(Ω):564,ZZK @IZT(mA):1,IR(μA):2.7,IR@VR(μA):1,Outline:SOD-123

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):5.7,VZ NOM(V):6,VZ Max(V):6.3,VZ @IZT(mA):20,ZZT(Ω):7,ZZK(Ω):1600,ZZK @IZT(mA):0.25,IR(μA):5,IR@VR(μA):3.5,Outline:SOD-123

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):12.35,VZ NOM(V):13,VZ Max(V):13.65,VZ @IZT(mA):9.5,ZZT(Ω):13,ZZK(Ω):600,ZZK @IZT(mA):0.25,IR(μA):0.5,IR@VR(μA):9.9,Outline:SOD-123

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):23.75,VZ NOM(V):25,VZ Max(V):26.25,VZ @IZT(mA):5,ZZT(Ω):35,ZZK(Ω):600,ZZK @IZT(mA):0.25,IR(μA):0.1,IR@VR(μA):19,Outline:SOD-123

Ptot(W):0.5,VZ MIN(V):53.2,VZ NOM(V):56,VZ Max(V):58.8,VZ @IZT(mA):2.2,ZZT(Ω):150,ZZK(Ω):1300,ZZK @IZT(mA):0.25,IR(μA):0.1,IR@VR(μA):43,Outline:SOD-123

MOSFET,VDS:60,VGS:25,ID:28,Vgs（th)/typ:3,PD:47,RDSON(mOhm)@13V:23,Package:TO-220