MOS的测的是导通电阻,这个电阻值是一定的;
导通压降与通路上的电流有关系,电流越大,导通压降也就越大。
而IGBT的特性和MOS相反,
IGBT的导通压降一定,与电流无关,其导通电阻是变化的。
如果那个MOS管的工作电压比较高,且电流比较低,就可以忽略,这个压降跟电流有关,等于电流乘上MOS管内部等效电阻
至于串联的电阻一般是按照datasheet上面的典型电路来取