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米勒效应问题
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位优秀工程师
米勒效应问题
shaorc
2017-12-21
浏览量:764
【不懂就问】
看到TI的一个三相逆变器设计资料中,关于有源米勒钳位的设计
这是一段原话
“开关IGBT过程中,位移电流流经IGBT的GE极电容,使其栅极电压上升,可能让器件误导通
原因是,当逆变器的上管导通时,下管的电压会以较高的dv/dt上升,IGBT的反向传输电容与输入电容之比增加
会增加米勒效应,噪声会从集电极耦合到栅极,此操作会在下管栅极引入电流,会使下管误导通”
【1】自己查了一下米勒效应,是说在反相放大电路中,输入输出之间的分布电容或者寄生电容由于放大器的方法作用,
其等效到输入端的电容值会扩大1+k倍,k是增益。那么米勒效应和上面说的IGBT的正方向电容怎么联系上?
【2】位移电流是如何而来,因为突然说到位移电流,有点懵?
【3】上管导通时,为什么下管的dv/dt会变高,下管不是关闭的吗?
【4】电容比增加,噪声从集电极耦合到栅极?电容不是去耦吗?
【5】有源米勒钳位的有源怎么理解?
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电容去不去耦要看怎么接,并不是接的电容都是去耦的。或者说电容并不只有去耦这个功用,要看应用的场合。
发布于
2017-12-21
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电子老工程师
回复了 :是的
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1
donatello
电容既有去耦的也有不去耦的,要注意区分。
发布于
2018-01-29
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电子老工程师
回复了 :**00E或T0E表示IC只支持EZ性能模型。没有定制的电池特性,尾缀T代表卷装
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