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资料描述
学电子的应该没有谁不知道这两样东西吧,其实nor和nand都是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.
一、 先简单介绍一下他们：
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand 闪存
二、再说一下他们的区别：
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除 操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为1。由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5ms ，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，就可以根据以下优缺点进行选择：
性能上的差别如下 ：
nor的读速度比nand稍快一些。
nand的写入速度比nor快很多。
nand的擦除速度远比nor快。
nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。
nand的实际应用方式要比nor复杂的多。
nor可以直接使用，并在上面直接运行代码，而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动。
接口上的差别如下：
nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用
