特点：
肖特基二极管的主要优点包括两个方面：
1、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2、由于SBD是一种多数载流子导电器件，肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
深圳市创唯电子有限公司专业生产双向可控硅,贴片电容,贴片钽电容,麦拉电容,开关三极管,肖特基二极管,快恢复二极管,三端稳压器等,贴片钽电容
适合的电源应用，由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。肖特基二极管功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。在英国肖特基二极管、日本和中国也存在类似的标准。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用；CCM模式用于输出肖特基二极管应用功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高。主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。
在输入肖特基二极管85V交流电压时，必须有最低的Rdson，因为传导热损失与输入电压的3次方成反比关系。这种MOSFET管的高频工作能够显著减少升压抑制。因此晶体管的快速开关特性是必须的。肖特基二极管应用升压二极管应该具有快速开关、低Vf和低Qrr特性。为了减少MOSFET在接通时的峰值电流压力，低Qrr是必须的。如果没有这一特性，升压MOSFET将增加温度和Rdson，导致更多的功率损失，从而降低效率。在高功率密度应用中效率是取得较小体积(30W/cm3英寸)和减少无源器件尺寸的关键因素。因此高的开关频率必不可少。
为了设计效率和外形尺寸最优的CCM PFC，升压二极管还必须肖特基二极管应用具备以下一些特性：较短的反向恢复和正向恢复时间；最小的储存电荷Q；低的漏电流和最低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要，它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。
由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和肖特基二极管应用温度，因此这种肖特基二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现最大的开关工作频率(最高可达1MHz)，从而可以使用更小体积的无源器件。
特点：
肖特基二极管的主要优点包括两个方面：
1、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2、由于SBD是一种多数载流子导电器件，肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且肖特基二极管,肖特基二极管的主要优点在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
深圳市创唯电子有限公司专业生产双向可控硅,贴片电容,贴片钽电容,麦拉电容,开关三极管,肖特基二极管,快恢复二极管,三端稳压器等,贴片钽电容
适合的电源应用，由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。肖特基二极管功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。在英国肖特基二极管、日本和中国也存在类似的标准。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用；CCM模式用于输出肖特基二极管应用功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高。主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。
在输入肖特基二极管85V交流电压时，必须有最低的Rdson，因为传导热损失与输入电压的3次方成反比关系。这种MOSFET管的高频工作能够显著减少升压抑制。因此晶体管的快速开关特性是必须的。肖特基二极管应用升压二极管应该具有快速开关、低Vf和低Qrr特性。为了减少MOSFET在接通时的峰值电流压力，低Qrr是必须的。如果没有这一特性，升压MOSFET将增加温度和Rdson，导致更多的功率损失，从而降低效率。在高功率密度应用中效率是取得较小体积(30W/cm3英寸)和减少无源器件尺寸的关键因素。因此高的开关频率必不可少。
为了设计效率和外形尺寸最优的CCM PFC，升压二极管还必须肖特基二极管应用具备以下一些特性：较短的反向恢复和正向恢复时间；最小的储存电荷Q；低的漏电流和最低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要，它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。
由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和肖特基二极管应用温度，因此这种肖特基二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现最大的开关工作频率(最高可达1MHz)，从而可以使用更小体积的无源器件。
肖特基二极管的特点
肖特基的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，肖特基二极管,肖特基二极管的特点不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于肖特基二极管的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于肖特基二极管比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。尊敬的访客：感谢您浏览本公司网站，你当前所在页面是肖特基二极管产品，如果你对该产品感兴趣的话，温馨提醒您：可以拨打我们的服务热线了解更多相关产品的详细信息，我们将竭尽全力的为您服务。本司销售的产品还有二极管、大功率
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NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。肖特基二极管,肖特基二极管的特点典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。