中心议题：
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探讨正确操作加速RF器件测试的方法
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学习二极管、RF功率三极管测试方法
解决方案：
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采用各种数字万用表、电压源和电流源来实现测试
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利用RF功率三极管测试
对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、三极管来说却更是至关重要。在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪器并通过适当的设定，能够极大地加速这些测试过程。
仪器选择
尽管可以采用各种数字万用表(DMM)、电压源和电流源来实现测试，但是与将所有这些功能包含在一个单元内的测试系统相比，将占用更多的机架空间、需要学习多种命令集，系统编程和维护也更复杂。最重要的是，触发时间变复杂了，且触发的不确定性增加了，而协调分立仪器的操作增加了总线的通讯流量，降低了测试效率。
要解决这些问题，首先是将几个功能整合到一个仪器中。源-测量单元(SMU)将精密电压源、精密电流源、电压表、电流表整合到一个仪器中，节约了空间并简化了设备间的操作。其次是消除仪器和控制计算机之间的通讯延时。
降低通讯开销
随着仪器和计算机间的高速通讯成为可能，通过GPIB(IEEE-488总线)链接为测试的每个步骤提供命令和控制，使得测试系统自动化更为广泛。尽管这与以前相比有很大的进步，但还是具有明显的速度限制。首先，GPIB需要可观的通讯开销。GPIB用作实时测试的另外一个缺点是控制通常来自总线的另外一端-运行Windows操作系统的PC，Windows在通讯响应时具有显著的延时，并且不可预测，这使得在测试环境中使用PC作为唯一的控制器时，多个仪器的同步几乎是不可能的。
图3：a：集电极-发射极击穿电压，基极开路；
b：集电极-发射极击穿电压，基极短路；
c：集电极关断电流，ICBO，及集电极-基极击穿电压，发射极开路。
通常RF功率三极管要测的其他参数有集电极-发射极持续电压，BVCEO(sus)或VCE(sus)，在基极-发射极之间的结上采用反向偏置时集电极-发射极的击穿电压(BVCEV或BVCEX),以及集电极开路时的发射极-基极击穿电压(BVEBO)。
结漏电流
描述器件关断时的漏电流也非常重要，因为在器件不工作时，漏电流将浪费功率，会缩短电池供电设备的工作时间。最常测量的漏电流参数是集电极关断电流(ICBO)，在集电极和基极之间测量，发射极开路(图3c)。基极反向偏置漏电流，也称为发射极关断电流或发射极-基极关断电流(IEBO)，是另一个最重要的漏电流，它是器件关断时基极的漏电流。