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sd卡刷linux后不可写
- 2018-10-30
网上主要有两种方法，但都没有解决我的问题，我这里写下来，大家可以试一试。方法1.在win7下用磁盘检查修复问题：插入SD卡——右键——属性——工具——查错——开始检查。方法2.在Linux下修复：（1）在插入和拔出SD卡状态下输入命令ls /dev/sd*可查看sd卡被系统加载后的命名，我这里为/dev/sdb1。（2）卸载设备umount /dev/sdb1 （3）然后修复sudo dosfsck -v -a /dev/sdb1如上述方法未解决问题，请在Linux终端管理者环境下按下面的方法操作1.输入命令：mkdir /media/sdcard 创建一个文件夹2.输入命令：chmod 777 /media/sdcard 更改文件夹权限为所有用户可读可写可执行3.输入命令：vi /etc/fstab4.在最后面加上一句/dev/db1 /media/sdcard auto umask=0rwuserauto 0 0，如图所示5.保存并退出vi编辑器，输入命令mount -o remount -o rv /dev/sdb1按上述操作之后SD卡就恢复为可读写了，但是建议重启一遍Linux，这样效果更好，如若不行，建议在管理者用户模式下再操作一遍试试。
初学linux，是双系统好还是用软件呢
- 2018-10-30
虚拟机，顾名思义，就是虚拟的，你可以虚拟出好多操作系统，这个比较适合经常调试软件的人使用，当然我们也可以，比如有好些很好玩的老游戏，现在的新系统不支持，我们可以虚拟个老系统，如win98，然后装上老游戏，就可以用，虚拟机是在其他分区划出一部分空间，然后用它来虚拟成一个分区，再在这里安装个全新的系统，新系统不和你原有的发生冲突，而且你可以不用重起电脑就切换到虚拟系统里，很方便。双系统，是利用你的其他分区来安装个全新系统，它要占据整个分区，虚拟就不用，而且你做双系统，开机会有启动菜单，选择进入哪个，虚拟没有。至于哪个好，这要看具体情况而定，根据自己的需要选择。
fpga资源不够怎么实现延时
- 2018-10-30
取决于你需要的延时长短，基本上有两张方法。1）利用走线的延时。可以用约束的方法，让这个信号的走线人为绕远。这种方式可以延时几到几十纳秒，但是随着芯片的批次不同以及芯片工作温度的变化，这个延时是不精确的；2）利用时钟往后推。就是用一个时钟对这个信号采样，可以获得时钟周期的整数倍延时。
【每周一问】与人沟通和技术精通，哪个对电子工程师更重要？
- 2018-10-29
与人沟通比技术精通对一个电子工程师更重要。不少工程师一味的专注技术，忽视了与人沟通的重要性，长时间得不到公司的重用；更多的工程师以为掌握了热门了技术，如智能手机，无线通信等，就一定能够改变他们的生活，让他们活的更有成就感。其实，结合自身的实际去专注在自身的行业核心技术的掌握，不断更新自我观念，提高自身修养水平，反省与人打交道的方式方法，这样一个电子工程师才有更好的前景。
二极管的结电容如何测量
- 2018-10-29
P-N 结电容包括势垒电容和扩散电容两部分：C=CT+CD当结两端的外加电时为负（即n 区为正，p 区接负）时，由于P 区、n 区的少数载流子很少，负电压的变化并不引起p 区、n 区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势垒电容来讲，扩算电容可以忽略。即：C=CT+CD≈CT所以，在外加负偏压的条件下测得的P-n 结电容认为是P-n 结势垒电容。势垒电容CT 与势垒区厚度δ 的关系同平行板电容器一样：（1）式中ε是硅的相对介电常数ε=12；ε0 是真空介电常数ε0=8.85×10-2 微微法/厘米；A 是P-n结的结面积，用cm2 作单位；δ是势垒厚度，用cm2 作单位。P-n 结势垒区的厚度δ是随外加电压的变化而变化的它的变化规律与P-n 结两边的杂质浓度的大小及杂质的分布状况有关。Ge:ε=16Q=1.6×10-19 库仑对于突变结，在经过相关简化计算后有电容公式如下： （2）这样就可以通过垃替代法来量测电容，其线路图如下图所示。图中“Ug”为标准高频信号发生器；⊙为视频毫伏表；C 为可变电容；Cx 为待测的P-n结。测量前首先把可变电容器旋到最大值（此值用C’表示），然后调节讯号频率，使LC 回路谐振，即“视频毫伏表”指示最大。当接上待测P-n 结电容Cx 时，由于Cx 与可变电容C并联，因此使谐振回路失去谐振状态，减小可变电容C 到某一值（此值用C’’表示）会师谐振回路重新谐振。显然，C’-C’’=Cx，其中C’为C 调到最大值时的电容值。这里需要指出：1、量时需要满足小讯号条件，由于P-n 结电容与外加电压的关系不是线性的，所以要测量某一偏压V 下的结电容就应该在这一偏压下加一足够的交流电压。实验中我们家的交流电压为几mV 到十几mV。2、扣除分布电容 Cs我们用上述方法测到的Cx 实际上包括了两部分，一部分是P-n 结电容，另一部分是分布电容Cs。在测得Cx 后，必须扣除分布电容Cs 才是真正的P-n 结电容。为扣除Cs，取一个与待测管同一类型的管壳，测量它的电容就是分布电容Cs，于是P-n 结电容CT 为：CT=Cx-Cs 希望可以帮到你呵
