EG8010逆变器H桥MOS管发热求助

力洪 2018-08-06 浏览量：5883

请问H桥的4个MOS发热严重是什么原因？（300W逆变器，前级驱动EG3525 21K频率，空载400ma电流，变压器5T+5T 0.7MM2 次级126T 0.27*2）

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Angel_YY
H桥的4个MOS都发热可考虑MOS内阻大或者上下桥臂有同时导通的情况，即死区时间没有或者过小。首先增加死区时间到一个比较大的数值，看能否有效降低发热。如果还是发热严重，就是MOS本身有问题了，可以更换内阻小的MOS试试。
- 发布于 2018-08-06
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lichangle
引起发热的原因有多个
死区时间太小
MOS管内阻过大这有可能是驱动能力不足或者管子性能不良
空载400mA电流不知道供电电压是多少呢一般这个值有点过大
具体排查一下驱动电路
- 发布于2018-08-07
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米饭米饭吖
1.发热情况有，电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2，频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了
3，没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4，MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大
这是我最近在处理MOS管发热问题时简单总结的。其实这些问题也是老生常谈的问题，做开关电源或者MOS管开关驱动这些知识应该是烂熟于心，当然有时还有其他方面的因素，主要就是以上几种原因。
- 发布于2018-09-09
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