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Flash模拟EEPROM实验，获取Flash的定义

40e1667d3002a879 2018-08-08 浏览量：896
函数定义
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  • 楼主的意思是把STM32的片上Flash当EEPROM进行访问与读写操作的吧。

    这一步要先对Flash进行解锁才可以进行操作的。

    可以看看：https://blog.csdn.net/qq_33559992/article/details/77676716

    • 发布于 2018-09-05
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其他答案 数量：16
  • FLASH 和EEPROM 还是有区别的：

    1、FLASH的擦写次数没有EEPROM高，一般单片机的FLASH擦写次数只有10K左右。

    2、FLASH是可以单个字节写，但是擦写的是单次整个扇区都会被擦除。

        所以，如果你要修改某单个字节的内容，在修改前，需要把其他所以的内容读出来，最后在写入。

    至于烧写函数，你可以参见官方库的例程\STM32F10x_StdPeriph_Lib_V3.5.0\Project\STM32F10x_StdPeriph_Examples\FLASH

    • 发布于2018-08-08
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  • 到底是使用Falsh还是EEPROM啊，这两个的驱动是不同的
    • 发布于2018-08-08
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  • flash和eeprom不一样呀flash是页或块擦除的不能几个自己的擦除eeprom可以任意大小的擦除
    • 发布于2018-08-08
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  • 可以用EEPROM一样的定义.只是时间会长一点.
    • 发布于2018-08-09
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  • FlAsh与EEPROM并不是一种类型的东西，是不可以模拟的吧，接口协议不同的
    • 发布于2018-08-09
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  • 一般操作就三种

    擦除

    写入

    读取

    写入前必须擦除

    • 发布于2018-08-10
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  • 这个一般就是擦除，写入，读取，这个几个操作了
    • 发布于2018-08-11
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  • 一般都是擦除，写入，读取这几个步骤
    • 发布于2018-08-17
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  • Flash一般都是整页擦除和写入，EEPROM通常都是一个字节的写入。受限于擦写次数限制，在使用Flash模拟EEPROM时通常都是在RAM中开一页的Flash缓冲区，写满后一次性写入Flash。而且这个写入不宜太频繁。如果需要频繁写入，可以考虑FRAM铁电存储器，与EEPROM兼容。
    • 发布于2018-08-27
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  • 你所说是flash操作就是读取和写入，擦除操作
    • 发布于2018-08-28
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  • 没有函数定义，stm32访问flash是通过内存地址指针直接访问的。
    • 发布于2018-08-31
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