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为什么衡量导通损耗，MOS管是导通电阻，而IGBT是导通压降？

zzzqiu 2018-12-28 浏览量：2795

MOS管Vds与Id之间的关系是线性关系，斜率就是Rdon？那IGBT的Vce和Ic之间的关系是什么样的？

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  • MOS管可以看成一个压控电阻，在放大区的时候RDS和VGS成线性关系，超出放大区的时候MOS完全导通，此时在MOS上的损耗=I^2*Rds，RDS此时基本是不变的，可以看成是一个常量，所以他的斜率就是RDS.

    而三极管是非线性元件，饱和导通的时候VCE压降与ICE电流无关，所以三极管上的损耗=ICE*VCE，VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的，也可以看成一个常量，所以你懂的。

    IGBT属于三极管和MOS管的结合的一个元件，用电压驱动，但VCE与三极管的是一样的，所以它的损耗=ICE*VCE，与三极管的计算是一样的
    • 发布于 2018-12-29
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其他答案 数量：10
  • igbt工作是mos管和三极管的复合特性 驱动输入是mos管特性 输出是三极管特性
    • 发布于2018-12-28
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  • igbt内不是一个是mos管驱动功率三极管的结合体，最终还是三极管驱动方式控制，所以最终三极管是用压降表示，只有mos用导通电阻表示
    • 发布于2018-12-28
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  • 导通损耗是非常关键的，涉及到管子的散热问题
    • 发布于2018-12-28
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  • 两个元件的内部结构是不一样的，所以导通的原理与参数不一样
    • 发布于2018-12-28
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  • 这个可不是线性关系啊，与温度也有关系的
    • 发布于2018-12-29
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  • 有导通压降，还要根据导通电流等算出损耗功率，建议更具输入和输出功率差值来计算比较准确！
    • 发布于2018-12-31
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  • 你可以多看看基本资料里的常识，导通压降和损耗计算，温度，波形，都有影响
    • 发布于2018-12-31
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  • 你可以用示波器检测下波形来更为了解
    • 发布于2018-12-31
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  • 是由于内部蝗PN结的结构不同，触发方式不同造成的
    • 发布于2019-01-24
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