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CMOS反相器我个人的理解对不对

dos 2017-03-01 浏览量：1619

如图所示：视频说当负载相当于电容时。反相器由低电平变成高电平时要对负载电容充电，它说这个电路对电容的驱动能力较强。它是不是说充电快就叫驱动能力强？因为输出高电平时，Rds越小，U0月接近VDD，电压大所以对电容充电时间快？
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  • 你这个没有说nmos的驱动电路模型，一般来说nmos的驱动来说，vdd接用电器，然后接nmos管，这个样子的换给高电平的时候nmos导通，驱动用电器，而cmos驱动的话低电平驱动电路，我从这个方面考虑，高电平没有低电平相应速度快。我电路学也是个新手，一起学习学习
    • 发布于 2017-03-01
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dos 回复了 afeiafei309：好的，一起学习，好的仰望你多多照顾下小弟我。 回复
dos 回复了 afeiafei309：好的，一起学习，还得仰望你多多照顾下小弟我。/dx 回复
dos 回复了 afeiafei309：答案我已经找到了，在我后面贴出的2幅图里。 回复

其他答案 数量：4

  • 充电的快慢跟驱动能力有关，但是不是绝对的。

    电流大充电才快，跟电压大小无关

    • 发布于2017-03-01
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dos 回复了 dos ：上图是P+N管，这个图示N+N管。怎么理解这两个图的对电容负载驱动能力？？？？？？？？ 回复
afeiafei309 回复了 dos ：这个是考虑到mos管的内阻问题了，通过电流的变化来分析的，我没有看到这个图的时候，分析有点武断了 回复

  • rd2的内阻和电容的容抗构成并联，由下面公式可以得出，rd2的驱动能力差，但是我觉得还有点问题，当pmos和nmos位置反过来现象和这个有什么不同，希望大神也能一起讲讲
    • 发布于2017-03-01
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  • 我已经找到真相了,它居然隐藏在下一讲的视频讲解里。

    • 发布于2017-03-01
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