在f429综合实验当中，nandflash的作用是啥？

Flash即是存储芯片的一种，其结合了ROM和RAM的特点，既具备电可擦除编程的性能，又可以快速读取数据，数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash具有随机存取和随字节执行写操作的能力，即可以访问到存储器内部的任意一个字节，且具有读取速度快等特点，它占据1MB—16MB闪存的大部分市场，根据其读取数据速度快的特点主要应用在代码存储；
NAND Flash以“页”为单位进行对数据的读写操作，且具有写入和擦除速度快等特点，它应用在8MB—256MB的产品中，根据其特点主要应用在数据存储上。
HY27UF081G2A的NAND Flash芯片为例，其总线宽度为8bit，总内存大小为1Gbit（即128MB），共分为1024块（Block），每块又分为64页（Page），每页共2KB(main memory)+64B(spare memory)，main memory用来存放数据，spare memory用来标记已坏的块区和保存对main memory的ECC校验码等（正常情况下不用）。
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一般是存储数据的，比如一些界面的背景图片，或是一些文件字库。

还可以学习接口总线的控制方式