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三种晶体管的问题

shaorc 2018-07-04 浏览量：982
【不懂就问】
图中的三种晶体管都接触了不少，
只是在应用电路中发现了一些一直不明白的地方

学习的时候就反复听说，MOS管是压控器件，MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制；IGBT管是电流控器件；而BJT是实现电流放大。

这样来回的一会是电流，一会儿是电压，有点转不清楚。同样是可以用作开关管或者放大作用的管子，而且外围类似（在门极或者基极加上电阻来改变通断的快慢），为什么要分为压控型和流控型。根据U=RI，电压电流可以相互转换的，怎么现在要这样区分呢？

此外，在别的电路中，我也有这样的疑惑，比如电流采样电路中，在支路上放上一个小电阻，然后流过它的电流就变成采样的电压的，但是之路上不光有电流啊，也有电压，这里想不通。难道电流采样，也是放上一个电阻，通过I=U/R来吗？

谢谢IMG_20180704_081455_[B@e72afca.jpg
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  • 压控元件从控制端来看，可以没有电流流过（只要有电压差），流控元件从控制端来说，在控制器件上只有很少的电压降。

    总之，不同三极管的用处不同。

    • 发布于 2018-07-04
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shaorc 回复了 xdsnet：诶，我这就又不明白了，压控原件从控制端看过来，可以没有电流，只要有电压差即可，有点压差怎么会没有电流呢？除非控制端断路了，那也驱动不了啊 回复
xdsnet 回复了 xdsnet： 4，MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个是器件特性。电容等对直流来说就可以实现维持电压而没有电流啊。 回复
shaorc 回复了 xdsnet：你还别说，要看你这回复，我突然想起一个老师被被我忽略的地方，MOS管的GS极之间是有电容的，我把图贴在下一楼，在图中MOS管的这个电容，你的意思是这个电容经过直流（比如10VDC的开通电压），没有电流流过GS，而MOS管却开通了？但是电容对直流是隔离的啊，都被隔掉了，怎么还来的电压呢？ 回复
xdsnet 回复了 shaorc：正因为直流被隔离了，电容两端是有电势的，就是有电压的，这个电压是维持住的。电池两端不是开路状态一样有电压吗？ 回复
shaorc 回复了 xdsnet：我的苍天啊，学了这么久，我居然一直都是在误区思维里。你说的这个电池这个例子一下子就懂了，原来隔直通交，是隔离的电流，但是电压还在。另外多问一句，电容对于交流信号来说，是不是电容两端既有电压也有电流流过？ 回复
huihui163 回复了 xdsnet：虽然是压控器件，但是肯定需要电流的， 回复

其他答案 数量：7

  • 压控器件就类似用电场控制电流 

    但是现在的技术绝对没有电流是不可能的 只是电流很小很小 nA级别 

    IGBT是压控流器件类似mos跟三极管的组合 

    • 发布于2018-07-04
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shaorc 回复了 hangtao ：你好，先谢谢，可以举例说的详细点吗？很想弄懂这些杂碎的知识，有时很受困扰 回复
hangtao 回复了 shaorc ：这个一句话说不清楚 你参考一下http://tech.hqew.com/fangan_1991926 回复
shaorc 回复了 hangtao ：谢谢分享 回复

  • 这个图中的MOS管GS之间的电容IMG_20180704_081455_[B@e72afca.jpg
    • 发布于2018-07-04
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  • 电流放大，你就重点关注电流值，电压控制，就就重点关注电压值，

    电流大，不一定要电压大，电压放大，支持电流范围有会有不同，

    • 发布于2018-07-04
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  • 三极管的电流，mos管的电压，明白原理就好，后面的电流采集都需要转换电压的
    • 发布于2018-07-04
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shaorc 回复了 huihui163 ：那压控和流控是怎么个区分？既然MOS是压控，而你又说电流也是必要的 回复

  • 这个你要么弄清楚最基本原理，要么你就从实际电路分析，应用领域不同，一个是mos管控制电电流，一个是BJT用来控制电压，由于材料不同，导致特性不同，基本上设计思路是一样的，BJT由于材料限制电流不能太大，所以它一直用在电压控制领域，而mos管却可以过大电流，所以电源开关使用它，而IO这些弱电流器件就用三极管来做开关！
    • 发布于2018-07-04
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  • 压控和流控分别指的是靠电压来开启和靠电流开启，二者虽然可以转换，但是不能混用
    • 发布于2018-07-05
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  • 三极管是基极是通过电流电流控制的，比如共射极电路，基极流过1mA电流，集电极流过100mA电流，放大倍数就是100倍，

    mos和IGBT差不多，都是电压驱动电路，一般就是3v到18v驱动，唯一区别就是IGBT耐压比MOS高，但是IGBT频率比较低，

    • 发布于2018-07-10
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