已解决 73482 个问题
已帮助 5993 位优秀工程师

求解：MOS管功率放大电路的原理

shaorc 2016-11-03 浏览量：1031

最近一直在论坛中求助关于这个电路的问题，自己希望全方位弄明白，所以又来提问，希望大家赐教，电路图见以下链接
//www.icxbk.com/community/forum.php?mod=viewthread&tid=69476&extra
我现在的电路是差分信号输入，3.3V的方波，频率150KHz，
通过一系列的MOS管驱动芯片和外围电路以及的MOS管后，差分输出，但是输出的电压峰峰值为80V左右，
现在给MOS管漏极相接的电源是+40V,我想知道输出的峰峰电压是由什么决定的？是供电的+40V吗？
还有信号通过一系列电路，功率放大在哪儿体现了，如何的原理？谢谢

其他

1 0 收起

我来回答

最佳答案

MOP
本帖最后由 MOP 于 2016-11-5 13:15 编辑

shaorc 发表于 2016-11-5 09:36
谢谢先！
（1）如果全部共地的话，下管截止上管导通时，上管的的S极变成40V，自举电容的两端加到上管GS两 ...
1. 嗨,沒錯唷,40V+14.4V=54.4V是前面提過的VHO,它是電路中最高的電位,用來導通Power MOSFET,因此Vout=VS輸出端是+40V,這裡提出VHO只是證明連最高電位都不可能達到+80V了,是一種論證方式

2. 沒錯,因為自舉電容對高電位Channel的Power MOSFET的寄生電容Cgs放電後,Vgs壓降產生,還是要充電才能繼續維持高電位Channel的Power MOSFET導通,所以上放電下充電,是一個平衡
- 发布于 2016-11-03
- 举报
- 评论 0
- 0
- 0

其他答案数量：6

MOP
本帖最后由 MOP 于 2016-11-4 14:24 编辑

shaorc 发表于 2016-11-4 13:43
你好，谢谢，
你的意思是，只有上下两组驱动芯片的COM端口不是接同一个地，才有可能是80V？可以说的详细 ...
是的唷,
如果共地的話,兩組電路的高電位Channel的Power MOSFET的Vd都是+40V,所以Vpp一定都是+40V,因為互補,一組+40V,另一組就會拉到地,即0,那麼
```
Vpp=40-0=40
```
非共地的話因為兩組電路的地所參考電位不一樣,可能會被認為是疊加在+40V上面,那麼就是40+40=+80V,這是有可能的

另外是說高電位Channel的Power MOSFET的增益的話,是DC大訊號,非AC小訊號模型,因此導通時:
```
Av(Gain)=Vout/Vin=VS/Vc=Vs/Vgs=40/(15-0.6)=2.78
```
Vs/Vgs是指Power MOSFET的S極和GS之間電壓,而Vc為自舉電容電壓,他將會當作高電位Channel的Power MOSFET的Vgs輸入電壓源,因此不能用VHO來看,非VS/VHO

但事實上Vd可以接上500V電壓源,因此最大的Gain應該是
```
Av=500/(15-0.6)=34.72
```
34.72倍增益,這就是Power MOSFET的強項,驅動大電壓
- 发布于2016-11-04
- 举报
- 评论 0
- 1
- 0

MOP
本帖最后由 MOP 于 2016-11-4 17:30 编辑

shaorc 发表于 2016-11-4 16:17
还是先感谢，在追问如下！
1.您的意思是说，对于MOSFET，只需要在栅极加入小的直流电压，就可以导通MOS管 ...
1. 是Vgs唷,這個MOSFET操作在Saturation region,即當Vgs>Vth 且Vds>Vgs-Vth時,其中Vth為threshold voltage,所以條件符合就會導通,使得Power MOSFET可以驅動500V大電壓和較大的增益電壓

2. 沒錯唷,500V直流電壓源

3. 我看一般的驅動電路都是全部共地的,主要是達到相位差,即2組就2相,相位差180度,3組就3相,相位差120度,以此類推,並不一定是80,但就是40<=N<=80
```
0<=N<=40 兩邊同加40
=> 40 <=N<=80
```
因為對於第一組驅動電路來說,您的第二組零電位參考點是浮動的(Floating),那示波器很有可能就直接就把訊號往上疊加(因為沒有負值訊號.ex. AC),但因為是浮動的,可能N就一直在變動,這個要看你實際示波器如何耦合(Coupling)這個訊號,所以我認為您一定沒有全部共地,兩組驅動電路的輸入跟輸出還有示波器的地要接在一起唷,才是全部共地唷
- 发布于2016-11-04
- 举报
- 评论 0
- 1
- 0

7943603
我一直想问下，那2个管子是一样的，还是互补的，你画的没注意
- 发布于2016-11-03
- 举报
- 评论 0
- 0
- 0

suoma
还和你的电阻有关
- 发布于2016-11-03
- 举报
- 评论 0
- 0
- 0

shaorc
MOP 发表于 2016-11-4 14:06
是的唷,
如果共地的話,兩組電路的高電位Channel的Power MOSFET的Vd都是+40V,所以Vpp一定都是+40V,因為互補 ...

还是先感谢，在追问如下！
1.您的意思是说，对于MOSFET，只需要在栅极加入小的直流电压，就可以导通MOS管，让导通的MOS管输出500V的大电压，以此达到电压放大是吗？
2.漏极接的500V是直流电压把？
3.你说如果两组驱动芯片共地的话，那么一个管输出40V，另外一个互补就是0，这个好理解，但是如果两组不共地，怎么认为是在+40V上叠加40V呢？没有想通
- 发布于2016-11-04
- 举报
- 评论 0
- 0
- 0

shaorc
MOP 发表于 2016-11-4 16:58
1. 是Vgs唷,這個MOSFET操作在Saturation region,即當Vgs>Vth 且Vds>Vgs-Vth時,其中Vth為threshold voltage ...

前面两个提问懂了，就是第三个问题没懂
我明明两组的地都接在模拟地上，为什么第二组零点位点是浮动的？
你说的(因為沒有負值訊號.ex. AC),是如何解释零点位浮动？
我示波器用的是两芯的电源线，而且两个探头都没有用小夹子，直接把大夹子加在out正负的两端，这怎么算是否共地？
只要不共地，就会叠加？
- 发布于2016-11-04
- 举报
- 评论 0
- 0
- 0

问题达人换一批

文章 知识经验换现金

换一批

求解：MOS管功率放大电路的原理

我来回答

相关问题

问题达人换一批

文章 知识经验换现金

我要举报该内容，理由是：

文章知识经验换现金