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两种沟道MOS管电路的问题

shaorc 2019-05-10 浏览量:938
如图下
用NMOS和PMOS当做防止电源反接的保护电路
【1】其中PMOS管的电路图好理解,对于NMOS管的电路图(最上面一个图)
输入Vin是直接连在其栅极处,但是MOS管的Vgs是有限度的,如果输入电压Vin过大是不是就不能采用NMOS管来做反接保护?
而PMOS管就没有这样的问题,但是PMOS管的导通内阻Rds又大于NMOS管。

【2】两种沟道的MOS管防止反接电路中,都在栅极处加上电阻,起到什么作用?

【3】既然两种沟道MOS管防止反接电路,都利用了MOS管自身的寄生二极管的导通作用
那么在图中最下方的推挽输出拓扑中,没有考虑寄生二极管的作用呢?

在H全桥拓扑中,只把与MOS管并联的二极管当做续流的作用来看待?

1.jpg

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  • 1你理解错了,不管p还是n管的sg电压比较低,不是说n行p不行,p管大部分内阻大于n但是由于电路关系有些只能用p管

    2这样加电阻不能起到分压的作用,因为mos是电压控制元件,如果vcc电压高,那么sg电压等于vcc电压,会造成超压

    3推挽的设备不是电感类的,那么这两个二极管没有作用,只有电感类负载,二极管做续流用的

    • 发布于 2019-05-11
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  • 这个电阻和栅极电容组成一个RC电路,可以滤除高压毛刺,防止mos管栅极损坏,一般还会在栅极和源极之间加一个双向ESD二极管防止静电击穿。
    • 发布于2019-05-10
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