首先你得了解MOS管的结构和原理，MOS管容易被静电打坏一般主要是G极和衬底之间，一般来说，衬底会连接源极使用。之所以容易被打坏，主要是MOS的Gate极和沟道之间有一层很薄的二氧化硅SiO2，这层二氧化硅在高电势差场的作用下容易击穿，一旦击穿，整个MOS的结构被破坏，多个极之间开路或短路。因此，一般的MOS会在Gate极和S极之间并联齐纳二极管来防止过压击穿。
