ISO5852芯片去饱和的外围问题

shaorc 2017-12-25 浏览量：1193

【不懂就问】

之前问过，但是没有完全懂

如图，是一款IGBT模块驱动芯片

其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明

“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化

这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流

为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联

，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好，这种二极管正向电压很低

可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”

【1】最后一句中的，低电平下，是指输入in低电平吗？那如何利用低正向导通钳位到地？

【2】把DESAT输入钳位到GND，是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉？是和下图吸收电路原理一样吗？

【3】电阻值怎么计算来的？

其他

0 0 收起

我来回答

所有亮答数量：0

换一批