电子工程师技术服务社区
- 社区首页
- 下载
- ROHM_SiC SBD MosFET_en.pdf
资料描述
sic 的绝缘击穿场强大约是si 的10 倍，因此与si 器件相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄
的厚度的漂移层制作出600v～数千v 的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层
的阻抗组成，因此采用sic 可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上，相同耐压的
器件，sic 的单位面积的漂移层阻抗可以降低到si 的1/300。而si 材料中，为了改善伴随高耐压化
而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如igbt (insulated gate bipolar transistor: 绝缘栅极双极
型晶体管) 等少数载流子器件(双极型器件)，但是却存在开关损耗大的问题，其结果是由此产生的
发热会限制igbt 的高频驱动。sic 材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件(肖特基势垒二极
管和mosfet)去实现高耐压，从而同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。
另外，带隙较宽，是si 的3 倍，因此sic 功率器件即使在高温下也可以稳定工作（目前由于受到
封装的耐热可靠性限制，只保证150℃～175℃，但是随着未来封装技术的发展，也可以保证200℃
以上的温度）。
