本帖最后由 Eagleson 于 2018-4-27 08:50 编辑
AL422B引脚图时序图
其各引脚功能如下图1：
图1 AL422B引脚功能
使用方法
（1） 初始化：
上电后，分别给/WRST和/RRST各0.1ms的初始化脉冲，使AL422B初始化。
（2） 复位操作：
通常，复位信号可在任何时候给出而不应考虑/WE,/RE及/OE的状态， 但是它们仍然要参照时钟信号的输入情况，使它们满足建立时间和保持时间的要求。如果在禁止时钟周期内给出复位信号，必须要等到允许周期到来后才会执行复位操作。当/WRST和/RRST均为低电平时，数据的输入和输出均从地址0开始。
（3） 写操作：
当/WE为低电平时，在WCK信号的上升沿，数据通过DI7—DI0写入到写寄存器，参照WCK的输入周期，写入的数据须满足建立时间和保持时间的要求。当/WE为高电平时，写操作被禁止，写地址指针停在当前位置上；当/WE再次变为低电平时，写地址指针从当前位置开始。
（4） 读操作：
当/RE和/OE均为低电平时，在RCK信号的上升沿，数据由DI7—DI0输出。当/RE为高电平时，读地址指针停在当前位置上；当/RE再次变为低电平时，读地址指针从当前位置开始。执行读操作时，/OE须为低电平，如/OE为高电平，则数据输出端均为高阻态，且读地址指针仍然同步加1。/RE和/OE须参照RCK的输入周期，满足建立时间和保持时间的要求。
（5） 由于其所有的寻址、刷新等操作都由集成在芯片内部的控制系统完成，内部功能框图如图：
图2 AL422B内部功能框图
（6） AL422B的工作时序图：各时序如下图3至图9：
图3 AL422B时序图，/WRST
图4 AL422B时序图，/RRST
图5 AL422B时序图，/RE
图6 AL422B时序图，/OE
图7 AL422B时序图，/WE
图8 AL422B时序图，/RE，/RRST
图9 AL422B时序图，/WE，/WRST
有了上述的概念后 我们对OV7670 模块的控制就清晰了
本帖最后由 Eagleson 于 2018-4-27 08:50 编辑
AL422B引脚图时序图
其各引脚功能如下图1：
图1 AL422B引脚功能
使用方法
（1） 初始化：
上电后，分别给/WRST和/RRST各0.1ms的初始化脉冲，使AL422B初始化。
（2） 复位操作：
通常，复位信号可在任何时候给出而不应考虑/WE,/RE及/OE的状态， 但是它们仍然要参照时钟信号的输入情况，使它们满足建立时间和保持时间的要求。如果在禁止时钟周期内给出复位信号，必须要等到允许周期到来后才会执行复位操作。当/WRST和/RRST均为低电平时，数据的输入和输出均从地址0开始。
（3） 写操作：
当/WE为低电平时，在WCK信号的上升沿，数据通过DI7—DI0写入到写寄存器，参照WCK的输入周期，写入的数据须满足建立时间和保持时间的要求。当/WE为高电平时，写操作被禁止，写地址指针停在当前位置上；当/WE再次变为低电平时，写地址指针从当前位置开始。
（4） 读操作：
当/RE和/OE均为低电平时，在RCK信号的上升沿，数据由DI7—DI0输出。当/RE为高电平时，读地址指针停在当前位置上；当/RE再次变为低电平时，读地址指针从当前位置开始。执行读操作时，/OE须为低电平，如/OE为高电平，则数据输出端均为高阻态，且读地址指针仍然同步加1。/RE和/OE须参照RCK的输入周期，满足建立时间和保持时间的要求。
（5） 由于其所有的寻址、刷新等操作都由集成在芯片内部的控制系统完成，内部功能框图如图：
图2 AL422B内部功能框图
（6） AL422B的工作时序图：各时序如下图3至图9：
图3 AL422B时序图，/WRST
图4 AL422B时序图，/RRST
图5 AL422B时序图，/RE
图6 AL422B时序图，/OE
图7 AL422B时序图，/WE
图8 AL422B时序图，/RE，/RRST
图9 AL422B时序图，/WE，/WRST
有了上述的概念后 我们对OV7670 模块的控制就清晰了
图1 AL422B引脚功能
使用方法
（1） 初始化：
上电后，分别给/WRST和/RRST各0.1ms的初始化脉冲，使AL422B初始化。
（2） 复位操作：
通常，复位信号可在任何时候给出而不应考虑/WE,/RE及/OE的状态， 但是它们仍然要参照时钟信号的输入情况，使它们满足建立时间和保持时间的要求。如果在禁止时钟周期内给出复位信号，必须要等到允许周期到来后才会执行复位操作。当/WRST和/RRST均为低电平时，数据的输入和输出均从地址0开始。
（3） 写操作：
当/WE为低电平时，在WCK信号的上升沿，数据通过DI7—DI0写入到写寄存器，参照WCK的输入周期，写入的数据须满足建立时间和保持时间的要求。当/WE为高电平时，写操作被禁止，写地址指针停在当前位置上；当/WE再次变为低电平时，写地址指针从当前位置开始。
（4） 读操作：
当/RE和/OE均为低电平时，在RCK信号的上升沿，数据由DI7—DI0输出。当/RE为高电平时，读地址指针停在当前位置上；当/RE再次变为低电平时，读地址指针从当前位置开始。执行读操作时，/OE须为低电平，如/OE为高电平，则数据输出端均为高阻态，且读地址指针仍然同步加1。/RE和/OE须参照RCK的输入周期，满足建立时间和保持时间的要求。
（5） 由于其所有的寻址、刷新等操作都由集成在芯片内部的控制系统完成，内部功能框图如图：
图2 AL422B内部功能框图
（6） AL422B的工作时序图：各时序如下图3至图9：
图3 AL422B时序图，/WRST
图4 AL422B时序图，/RRST
图5 AL422B时序图，/RE
图6 AL422B时序图，/OE
图7 AL422B时序图，/WE
图8 AL422B时序图，/RE，/RRST
图9 AL422B时序图，/WE，/WRST
有了上述的概念后 我们对OV7670 模块的控制就清晰了
