关于EMI的学习笔记

1MHZ以内

以差模干扰为主

1.增大X电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

1MHZ---5MHZ

差模共模混合

采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
1.对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量；
2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理——快速二极管如FR107——普通整流二极管1N4007。

5M---20MHZ

以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用，

可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔， 铜箔闭环，处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20---30MHZ
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔，变压器最里层加屏蔽层，调整变压器的各绕组的排布；
4.改变PCB LAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 可以用增大MOS驱动电阻。

30---50MHZ   

 普遍是MOS管高速开通关断引起

1.可以用增大MOS驱动电阻；
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB在LAYOUT时放置大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50---100MHZ 

普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFE； 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

200MHZ以上

基本辐射量很小，一般可过EMI标准

    以上部分就是自己在开关电源的学习过程中的笔记整理，其中主要是向资深工程师请教得来的，都是他们的经验之谈。在这里要向他们表示感谢！也希望大家多多支持。