存储技术25年来终现新突破 英特尔、美光联手发布3D Xpoint

本报讯 记者刘静报道 今早(7月29日)8点，英特尔和美光共同发布了一项全新的存储技术3D Xpoint(发音为“cross point”)，号称是25年以来(上一次是1989年的NAND Flash存储技术)，全球存储技术的第一次革命性突破。

据英特尔高级副总裁、非易失存储器解决方案事业部总经理Rob Crooke透露，这种由英特尔和美光共同研发的全新3D Xpoint存储技术比现有的NAND Flash存储速度快1000倍，耐用性高1000倍，也比现有的任何传统存储技术的容量密度高10倍。并且3D Xpoint还具备非易失性，不会出现断电时数据存储丢失的情况。而目前的NAND Flash虽然也是非易失性的，但是存储速度不够快，DRAM虽然比NAND Flash存储速度快，但是有易失性，容量密度也不高。

目前，随着万物互联的发展，数字世界产生的数据已在爆炸式增长。据Rob Crooke称，到2020年数据量将会从现在的4ZB增长到40ZB。如此多的海量数据，需要全新的存储技术，实现更快的存储、更大的容量、更好的表现性能。而目前的存储技术总是要在成本、功耗和性能之间权衡得失。

但是耗费了英特尔和美光10年研发精力的全新3D Xpoint跟以往的任何存储技术都完全不同，它的表现性能能够达到CPU的水平。而由于其高10倍容量密度的特性，3D Xpoint能够在同样实体大小下实现更大的存储容量。但同时又具备非易失性，对于功耗的消耗也较低。

3D Xpoint采用全新的交叉点阵结构，能够支持对单个存储单元的独立访问。每个垂直导线呈现更有效率的密集排列，1280亿个内存储存单元相互连接。另外，这些存储单元还能够立体堆栈。目前的规划是双层堆栈、能够存储128Gb的闪存。

因为3D Xpoint具备更快的存储、更大的数据容量、更快的系统恢复、更长的耐久性，未来被期待可以用于多个领域，比如在游戏领域，游戏开放者可以不再受限于存储速度和容量，随心所欲的开发游戏;在金融交易中，更容易快速地识别欺诈;在治疗疾病中，例如癌症，通过实时处理和分析哪些药物对哪些类型的基因链更有效果，进行实时疾病跟踪等。

美光研发副总裁Scott deboer透露，目前英特尔和美光已经正在研究各自基于3D Xpoint存储技术的产品，会在美光位于犹他州Lehi工厂中生产3D Xpoint产品，今年晚些时候会给一些特定用户提供样品。预计会是采用20nm工艺、双层堆栈的128Gb的存储产品，相关产品最早明年（2016年）就能问世。

（本文所有图片截自7月29日早上英特尔美光网络发布会）