KitGuru和phoneArena报导指出，在本月发布的最新版GNU编译器中，支持ARM伙伴开发的定制核心名单中三星Exynos M1(外传M代表Mongoose)赫然在目。果然，三星Exynos 7420的大获成功，使其有信心扩大自研芯片的阵容，希望借以提升三星系统芯片事业的整体竞争力。
据传为应对高通的Krait系列，三星新品取名Mongoose(猫鼬)，为Krait(环蛇)的天敌。据目前已知消息可知，Exynos M1采用与ARMv8-A核心相容的定制化核心，不再使用ARM Cortex-A72，支持64位。同时采用14nm工艺制程，最高时钟在2.3GHz，据称其在GeekBeanch 3跑分中单核成绩达到2200，比目前三星Exynos 7420竟多出45%。
由于三星是异构系统架构(HSA)的创始成员，有可能与HSA相容，使处理器包括CPU 、GPU与DSP等核心架构各司其职，使功耗应用更合理、性能得以最大化。Exynos M1或将成为三星Mongoose 处理器的首款产品。GNU编译器支持Exynos M1，不仅说明这一芯片的存在性，还说明三星正在内部测试。软件开发商通常会在芯片量产前的9~12个月拿到首批样品，若依照惯例三星明年3、4月间发布新旗舰机型，也不排除用在Galaxy S7的可能性。
一直以来，三星从未停止过自研芯片的脚步，尤其看到苹果A系列处理器大获成功且摆脱第三方厂商的控制之后。从2009年开始三星便在韩国市场销售的智能手机上搭载自研AP芯片，包括Galaxy Note 4都采用高通和Exynos双平台并行的形式，只是韩国市场容量相对有限，自研芯片的比例仍旧很低。
三星最新发布的Galaxy S6和Galaxy S6 Edge首次抛弃高通平台，选用三星系统LSI研发的Exynos 7420，采用三星14nm FinFET工艺制造，性能和功耗表现突出，颇受业内好评。尤其制程工艺首次超越台积电，吸引到苹果等客户的晶圆代工订单增加，更让三星信心十足。
Exynos 7420此次在Galaxy S6中的独挑大梁，表面上是因为高通骁龙810的过热问题，但从深层次角度来看，三星的14nm FinFET工艺走在台积电之前，已然做足充分的准备，过热之说只作”东风”之势。同样在ArsTechnica和Primate Labs团队的测试结果中我们也能看出，高通骁龙810的表现远逊色于三星Exynos 7420。
业界消息显示，三星旗下的系统 LSI 部门从去年开始累积单芯片领域know-how，将结合应用处理器和 Modem，发布功能更强大的芯片。据悉三星总裁李在镕亲自下令要求三星提升半导体设计能力，去年已推出适用于低阶智能手机的SoC芯片，如今Exynos M1也许将成为三星SoC之路的初次尝试。
Susquehanna International Group分析师Mehdi Hosseini发表研究报告指出，三星已经成功拉高了14纳米制程工艺的产能，良率超过70%。他认为三星在14纳米阶段，不但品质能与台积电媲美，且晶圆报价还比台积电低。这一消息表示，三星解决了14纳米工艺产能的问题，剩下的只需做好客户的产能调配即可。
Korea Times消息称，三星预计Galaxy S6与Galaxy S6 Edge的销量可能将超过7000万部，Galaxy S6与Galaxy S6 Edge将成为最受欢迎的Galaxy系列智能手机。Galaxy S6系列的火热也给高通带来巨大困扰，为挽回三星这一客户，高通最近将骁龙820的订单委由三星代工，希望加强与三星在芯片代工业务上的合作，以换取三星下一代Galaxy手机采用高通产品。
KitGuru和phoneArena报导指出，在本月发布的最新版GNU编译器中，支持ARM伙伴开发的定制核心名单中三星Exynos M1(外传M代表Mongoose)赫然在目。果然，三星Exynos 7420的大获成功，使其有信心扩大自研芯片的阵容，希望借以提升三星系统芯片事业的整体竞争力。
据传为应对高通的Krait系列，三星新品取名Mongoose(猫鼬)，为Krait(环蛇)的天敌。据目前已知消息可知，Exynos M1采用与ARMv8-A核心相容的定制化核心，不再使用ARM Cortex-A72，支持64位。同时采用14nm工艺制程，最高时钟在2.3GHz，据称其在GeekBeanch 3跑分中单核成绩达到2200，比目前三星Exynos 7420竟多出45%。
由于三星是异构系统架构(HSA)的创始成员，有可能与HSA相容，使处理器包括CPU 、GPU与DSP等核心架构各司其职，使功耗应用更合理、性能得以最大化。Exynos M1或将成为三星Mongoose 处理器的首款产品。GNU编译器支持Exynos M1，不仅说明这一芯片的存在性，还说明三星正在内部测试。软件开发商通常会在芯片量产前的9~12个月拿到首批样品，若依照惯例三星明年3、4月间发布新旗舰机型，也不排除用在Galaxy S7的可能性。
一直以来，三星从未停止过自研芯片的脚步，尤其看到苹果A系列处理器大获成功且摆脱第三方厂商的控制之后。从2009年开始三星便在韩国市场销售的智能手机上搭载自研AP芯片，包括Galaxy Note 4都采用高通和Exynos双平台并行的形式，只是韩国市场容量相对有限，自研芯片的比例仍旧很低。
三星最新发布的Galaxy S6和Galaxy S6 Edge首次抛弃高通平台，选用三星系统LSI研发的Exynos 7420，采用三星14nm FinFET工艺制造，性能和功耗表现突出，颇受业内好评。尤其制程工艺首次超越台积电，吸引到苹果等客户的晶圆代工订单增加，更让三星信心十足。
Exynos 7420此次在Galaxy S6中的独挑大梁，表面上是因为高通骁龙810的过热问题，但从深层次角度来看，三星的14nm FinFET工艺走在台积电之前，已然做足充分的准备，过热之说只作”东风”之势。同样在ArsTechnica和Primate Labs团队的测试结果中我们也能看出，高通骁龙810的表现远逊色于三星Exynos 7420。
业界消息显示，三星旗下的系统 LSI 部门从去年开始累积单芯片领域know-how，将结合应用处理器和 Modem，发布功能更强大的芯片。据悉三星总裁李在镕亲自下令要求三星提升半导体设计能力，去年已推出适用于低阶智能手机的SoC芯片，如今Exynos M1也许将成为三星SoC之路的初次尝试。
Susquehanna International Group分析师Mehdi Hosseini发表研究报告指出，三星已经成功拉高了14纳米制程工艺的产能，良率超过70%。他认为三星在14纳米阶段，不但品质能与台积电媲美，且晶圆报价还比台积电低。这一消息表示，三星解决了14纳米工艺产能的问题，剩下的只需做好客户的产能调配即可。
Korea Times消息称，三星预计Galaxy S6与Galaxy S6 Edge的销量可能将超过7000万部，Galaxy S6与Galaxy S6 Edge将成为最受欢迎的Galaxy系列智能手机。Galaxy S6系列的火热也给高通带来巨大困扰，为挽回三星这一客户，高通最近将骁龙820的订单委由三星代工，希望加强与三星在芯片代工业务上的合作，以换取三星下一代Galaxy手机采用高通产品。
冰山一角
2015-12-08
