SAM4S Xplained第二个实验

第一个实验比较长，我发了3-4次都失败了，只好放弃。如果有希望了解的，可以到这里查看。

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3024965.HTM

第二个实验还是ASF中自带的，是低功耗测试，测试在不同时钟频率和不同工作模式下的功耗。这个实验只需要SAM4S Xplained，不需要其它扩展板。

首先，打开AS6.2，然后插上SAM4S Xplained，很快AS6就识别出SAM4S Xplained开发板。然后从ASF中，选择LOW Power Demo for SAM Board - SAM4S Xpalined Pro。

然后创建项目，再编译并下载。这些过程不再重复了，如有不清楚的，可以参见例程一。

然后将开发板上SW0旁边的短路块取下，串入万用表测量电流。

在打开一个终端软件，并配置串口，选择波特率为115200。下面使用的是putty，使用其它软件也可以。

运行程序，可以在终端上看到下面的提示。这时默认是Flash访问模式128位，时钟24M，电流约6.8mA。

根据提示选择不同的工作模式和时钟频率。实测在活动模式下，120M主频电流约20mA，120K时约120uA；Sleep模式下，120M主频电流约11mA，125K频率时约110uA；wait模式下，约26uA；而Backup模式下只有2uA。在改变模式或时钟前，需要按下SW0，使程序回到正常状态。

再尝试选择64位Flash访问模式，在活动模式和Sleep模式下电流普遍有所上升。wait模式和Backup模式则没有变化。