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求助！关于MOS管问题

哈哈，楼主20个灯，每个灯打算多少电流啊。。1.2F电容感觉撑不了不久啊。。

求助！关于MOS管问题

建议楼主用PMOS。当然作为开关，MOS管肯定是工作在变阻区的，注意和三极管不同的是MOS工作在变阻器使用开作为开关状态，工作在饱和区用来作为放大器件。如果要导通上面电路，按下按键就能导通。对于PMOS，Vgs小于阈值Vth即可导通。

单片机系统电源被电烙铁及交流电磁阀干扰死机、复位

不应该吧，你其他地方插拔下插头，你51就挂了？。。那这个电源也太次了点、、

函数信号发生器Hi-Z和50欧姆输出设置对电路测试结果的影响

第一：其实你这两个结果都是完全正确的。原因就是信号发生器设置造成的。调信号发生器的时候，你调到50欧姆输出，那么实际信号源是显示值的两倍，这个显示值是信号发生器50欧姆内阻和外部50欧姆匹配后分压得到的，至于Hi-Z输出，那么这个显示值是内部50欧姆和外部高阻分压得到，那么其实还是信号源的电压。 第二：一般高频放大器都是50欧姆输出的，所以像这个电路图一样需要外接50欧姆电阻匹配，这个运放同相脚的电压就是显示的电压！ 看下图你就明白了

关于功放电路设计，调试过程中遇到了问题

你现在只要保证电压对就可以，先别管什么功率

双向可控硅两端并联阻容吸收电路，具体的参数选择。

100欧串上0.1uF,并联在可控硅两端

关于功放电路设计，调试过程中遇到了问题

对于这句话，这个DDS信号是已经经过调理的信号，而且从图中的电路来看。DDS经过调理的部分输出阻抗也是50欧姆，理论上和后面输入部分的50欧姆是匹配的。具体什么问题还是希望楼通过测试发现

关于功放电路设计，调试过程中遇到了问题

首先50欧姆负载上需要300mW功率，计算出流过负载的电流峰值为109mA,电压为5.45V,那么对于数入是5V峰值的正弦信号。我们需要放大1.09倍，我们可以1:选择Rf=1K,RG=820欧姆(针对直接去掉R2)，2:RF=1k,RG=3.33k(针对保留R2，以保证输出电阻为50欧姆) 如果你的的DDS输出是Vpp=10V的信号，那么请您测试下接入信号时R1两端的信号是否为Vpp=10V的正弦波，因为单独测后面的放大部分是可以的，那么问题应该出在DDS和后级的匹配上，导致了信号的衰减！