@曲终人散@
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SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片,工作电压3.3V电压,速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制,使RAM与CPU外频同步,取消等待时间所以其传输速率比EDO DRAM更快。SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积
LVDS利用差动传送方式,这意味着每个LVDS信号使用两根信号线。这两根信号线之间的电压差定义了LVDS的值信号。为了在差分线上成功传输LVDS信号,在PCB Layout时需要遵循以下规则为了保证最小的反射和保持接收器的共模噪声抑制,差分线从驱动器出来后采用紧耦合的原则。此外,为了避免不连续性在差分阻抗,差分线之间的距离在整个布线路径上要保持不变。 为了尽量减少偏差,LVDS差分之间走线要求等长处理。 尽量减少过孔及其它导致信号不连续的行为。 任何寄生负载,如电容,必须等量存在于每对差分对中。 为了避免信号不连续,Layout时走线拐角采用圆弧或者45度走线替代90度走线。