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川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考(四)
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川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考(四)
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发布时间: 2022-01-05
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对比实验 1. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB拼接电容各为约 500pF, 分立器件只有 10μF 储能电容, 无去耦电容。 2. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB拼接电容各为约 400pF+400pF。分立器件只有 10μF 储能电容, 无去耦电容。 3. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容各为约 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF储能电容外, 加入 10nF+470pF 去耦电容。 4. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容各为约 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF储能电容外, 加入型号为 FBG1005-601Y 的磁珠。 实验表明: 1. 初级地 GNDA 和次级地 GNDB 的 PCB 拼接电容对30MHz-1GH 整体频段内的辐射有大幅度的改善, 约降低 20dBμ V/m; 2. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容 30MHz-1GH 整体频段的辐射有大幅度的改善, 约降低 10dBμ V/m; 3. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的分立器件去耦电容 10nF 和 470pF 对 150MHz 处的辐射约降低 20 dBμ V/m,对其他频段也有不同幅度的改善; 4. 型号为 FBG1005-601Y 的磁珠对 70MHz 处的辐射约降低 3dBμ V/m。 综上所述,下面是CA-IS3092W的4层PCB的布线实例。PCB长和宽都为99mm,厚度为1.0mm。第一层信号层和第二层信号层之间的绝缘层厚度为0.2mm,第二层和第三层之间的绝缘层厚度为0.465mm,第三层和第四层信号层之间的厚度为0.2mm。初级地GNDA和次级地GNDB的拼接电容约为180pF;VCC对GNDA以及VISO对GNDB的拼接电容约为400pF+400pF;做了相应的边缘防护。PCB的各个层布线如下所示。FBL1和FBL2选取型号为FBG1005-601Y的磁珠,C2和C5分别选取10μF,C3、C6和C4、C7分别选取10nF和470pF,测试结果如图21所示,满足EN55032的classA类辐射标准,比其限值低了10.4dBμV/m。 总结 以上提出了抑制辐射干扰的方法,总结如下: 1.初级地 GNDA 和次级地 GNDB 之间的 PCB 拼接电容对抑制辐射的作用比较大, 其拼接电容的好坏将直接决定整体辐射水平的高低; 2. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容对抑制辐射的作用也很大, 分立器件的供电电容和耦合电容的摆放位置、选型及 PCB 布线对辐射的影响相对比较关键; 3.边缘防护的设计以及磁珠的合理选用可进一步降低辐射干扰。
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