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平常心_6144

  • 湖北省
  • 硕士
  • 消费电子 汽车电子 工控电子

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LDO计算热耗的方法

输入的电源提供的功率为 V input *I,即采用线性电源时电源功率的计算不能使用负载电压和电流的乘积计算,必须采用线性电源输入电压和负载电流的乘积计算采用线性电源时电源功率的计算不能使用负载电压和电流的乘积计算,必须采用线性电源输入电压和负载电流的乘积计算。必须经过计算和热仿真确保系统的正常工作。例如采用 1 只 TO-263 封装的 LDO 将电压从 3.3V 降到 1.2V,负载电流为 1.5A,负载上耗散的功率为 1.8W。此时 LDO 上承担了 2.1V 压降,耗散的功率 3.15W,3.3V 电源提供的功率为 4.95W!封装的热阻约为 40℃/W,则如果不采取任何散热措施,则温升能够达到约 120℃。对 LDO 必须通过热仿真确定合适的散热措施,并且在 3.3V 电源在预算中必须能够提供 1.5A 的电流(或者 5W 以上的功率) ,保证系统的工作正常。 (对于线性电源的原理参见参考文档《电源是怎样炼成的》PPT教程 。 )采用开关电源能够达到很高的效率,对大电流及大压差的场合,推荐采用开关电源进行转换。如果电路对纹波要求较高, 可以采用开关电源和线性电源串联使用的方法, 采用线性电源对开关电源的噪声进行抑制。

各种混合接地的作用总结

在工程实践中,除认真考虑设备内部的信号接地外,通常还将设备的信号地,机壳与大地连在一起,以大地作为设备的接地参考点。设备接大地的目的是 1)保护地,保护接地就是将设备正常运行时不带电的金属外壳(或构架)和接地装置之间作良好的电气连接。 为了保护人员安全而设置的一种接线方式。保护“地”线一端接用电器外壳,另一端与大地作可靠连接。 2)防静电接地,泄放机箱上所积累的电荷,避免电荷积累使机箱电位升高,造成电路工作的不稳定。 3)屏蔽地,避免设备在外界电磁环境的作用下使设备对大地的电位发生变化,造成设备工作的不稳定。

肖特基势垒二极管的其他问题?

1) 势垒高度势垒高度决定正向驱动电压影响动态范围、噪声系数和接收灵敏度它与所要求的本振功率密切相关。

肖特基势垒二极管的其他问题?

1) 势垒高度势垒高度决定正向驱动电压影响动态范围、噪声系数和接收灵敏度它与所要求的本振功率密切相关。表2-3给出势垒高度应用情况。2) 结电容与频率的关系结电容对工作频率的影响体现在容抗大小一般原则是比传输线的特性阻抗小一点。经验参数是取容抗近似为100Ω在波导中略大一点微带中略小一点。3) 噪声系数与本振功率的关系若本振驱动功率小,则导通角小,变频损耗大,噪声系数大。若本振驱动功率过大,则正向电流过大,二极管发热噪声增加并且反向导通增加也会降低混频器的质量。可见本振功率与噪声系数有一个最佳范围。二极管的噪声来源由三部分构成即散弹噪声、热噪声和闪烁噪声。通常定义二极管的总输出噪声与其等效电阻在相同温度下的热噪声功率的比值为噪声温度比器件厂家会给出4) 硅和砷化镓二极管硅材料的肖特基二极管的截止频率高于200 GHz以上工作在Ku频段以下可以得到良好的性能。在更高的工作频率或镜像回收混频器中需要用到砷化镓肖特基二极管其截止频率在400 GHz以上这是由于砷化镓材料电子迁移率高R小。如果选择混频器的中频频率较小为了降低噪声就必须提高本振驱动功率。为此毫米波系统常采用多次中频方案。

各种电路的抗干扰设计

由于DSP、CPU等芯片工作频率较高,即使电路原理图设计正确,若印制电路板设计不当,也会对芯片的可靠性产生不利影响。例如,如果印制板两条细平行线靠得很近,则会形成信号波形的延迟,在传输线的终端形成反射噪声。因此,在设计印制电路板时,应注意采用正确的方法。1)地线设计。在电路中,接地是控制干扰的重要方法,如能将接地和屏蔽正确结合起来使用,可解决大部分干扰问题。在一块电路板上,DSP、CPU同时集成了数字电路和模拟电路,设计电路板时,应使它们尽量分开,而两者的地线不要相混,分别与电源端地线相连。尽量加粗接地线,同时将接地线构成闭环路。2)配置去耦电容。在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是DSP电路板的可靠性设计的一种常规做法:电源输人端可跨接一个10~100μF的电解电容器;为每个集成电路芯片配置一个0.01 μF的陶瓷电容器;对于关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线和地线间直接接入去耦电容。注意去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。大多数资料有提到过,去耦电容就近放置,是从减小回路电感的角度去谈及摆放问题,其实还有一个原则就是去耦半径的问题,如果电容离着芯片位置较远,超过去耦半径,会起不到去耦效果。考虑去耦半径的最好办法就是考察噪声源和电容补偿电流之间的相位关系。当芯片对电流的需求发生变化时,会在电源平面的一个很小的局部区域内产生电压扰动,电容要补偿这一电流(电压),就必须感知到这一电压扰动。信号在介质中传播需要一定的时间,因此发生局部电压扰动到电容感知到需要有一定的时间延迟,因此必然造成噪声源和电容补偿电流之间的相位上的不一致。特定的电容,对与它自谐振频率相同的噪声补偿效果最好,我们以这个频率来衡量这种相位关系。当扰动区到电容的距离到达时,补偿电流的相位为和噪声源相位刚好差180°,即完全反相,此时补偿电流不再起作用,去耦作用失效,补偿的能量无法及时送达,为了能有效传递补偿能量,应使噪声源和补偿电流之间的相位差尽可能的小,最好是同相位的。距离越近,相位差越小,补偿能量传递越多,如果距离为0,则补偿能量百分之百传递到扰动区,这就要求噪声源距离电容尽可能得近。对于大电容,因为其谐振频率很低,对应的波长非常长,因为去耦半径很大,所以不用去怎么关心大电容在电路板上的放置位置的原因,对于小电容,因为去耦半径很小,需要靠近去耦的芯片。

ADC0809工作的主要有以下几个步骤,怎么写程序

1.启动A/D转换,给START引脚一个下降沿;2.ALE信号与START信号一般连接在一起,这样使得在ALE信号的前沿写入地址信号,紧接着在其后沿就启动转换;3.查询EOC引脚状态,EOC引脚由0变1,表示A/D转换过程结束;4.允许读数,将OE引脚设置为1状态。5.读取A/D转换结果,从ADC0809的外部地址读取其转换结果。

平常MCU的指令执行速度为多少?

MCU的CIP-51内核采用流水线结构,与标准的8051结构相比,指令执行速度有很大的提高。标准的8051单片机执行一个单周期指令需要12个系统时钟周期 MCU执行一个单周期指令只需要一个系统时钟周期。如果系统时钟频率为25MHz,执行一个单周期指令所需时间为40ns。​

什么是机器周期?机器周期和晶振频率有何关系?当晶振频率为6M

规定一个机器周期的宽度为12个振荡脉冲周期,因此机器周期就是振荡脉冲的十二分频。当振荡脉冲频率为6 MHz时,一个机器周期为2 µs