之前有用过MTK的2G模组，感觉性价比还OK，但是到了现在好像没有接触过MTK的4G或者5G模组了，有没有谁有了解过这块的
我用串口和另外一个设备相互通信，循环读取另外一个设备的数据。但是当我插入了usb口之后，串口接收就会变得很慢，有时候还会卡死，如果没有插上usb口，就正常。这个是为什么呢。我上层应用没有用到usb口，是不是usb驱动的问题呢？
如题，现在是通过IIC连接ISP，可以读取ISP的寄存器， ISP和图像传感器IIC连接有主从机关系， 那么如果通过IIC ISP读取图像传感器内部数据，直接识别不到图像传感器的ID
近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平，读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟信号CKB 高电平到来时，CKB 信号控制译码电路完成最后的译码，行译码电路选中的那一行存储单元写字线WWL 将会打开；16 位数据经过输入输出电路中的写电路传递到写字线BL 上，从而把数据写入选中的存储单元。 SRAM 读操作。读操作即是把SRAM 阵列中指定单元中存储的数据读取出来。片选信号CEBA 置为低电平，读控制电路运作。与写操作相同，10 位读地址线AA0-AA9 提前准备就绪，经过译码器选择指定的存储单元；同时读位线RBL 被预充电到高电平。预充电一段时间后时钟信号CKA 到来，译码完成，打开指定存储单元的读字线RWL，对存储单元进行读操作。此时灵敏放大器被激活，读位线RBL 上的电压变化会传递到灵敏放大器中，灵敏放大器可以根据RBL的电压变化情况把结果送到输出电路，输出的二进制序列从端口DO0-DO15 读出，从而读出特定存储单元的数据。
请问各位，想深入学习proteus，有什么书或者资源可以推荐一下？谢谢
在系统编程和内核移植过程中，设备树的具体作用是啥？仅仅是一张表？用于实现驱动代码与设备信息相分离？另：Bootloder如uboot是以怎样的方式读取设备树信息？再以什么样的方式传给内核的？指定一块内存区域？
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